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Si1051X
Vishay Siliconix
P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( ? )
0.122 at V GS = - 4.5 V
0.141 at V GS = - 2.5 V
0.168 at V GS = - 1.8 V
I D (A) a
1.2
1.1
0.60
Q g (Typ.)
5.91
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
0.198 at V GS = - 1.5 V
0.50
APPLICATIONS
? Load Switch for Portable Applications
SC- 8 9 (6-LEADS)
D
1
6
D
Marking Code
S
D
2
5
D
2
XX
Lot Tracea b ility
and Date Code
G
G
3
4
S
Part # Code
Top V ie w
D
Orderin g Information: Si1051X-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwis e noted)
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±5
Unit
V
0.151
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
1.2 b, c
0.97 b, c
-8
0.2 b, c
0.236 b, c
b, c
- 55 to 150
A
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
t ?? 5 s
Steady State
R thJA
440
540
530
650
°C/W
Notes:
a. Based on T A = 25 °C.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 650 °C/W.
Document Number: 74479
S10-2542-Rev. C, 08-Nov-10
www.vishay.com
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